株式会社明電舎（取締役社長：浜崎祐司 ／ 東京都品川区、以下明電舎）は、世界で初めて、純度100％のオゾン（以下、ピュアオゾン）を使用した常温成膜技術（以下、本技術）を確立しました。本技術は2017年5月より研究を開始し、2018年3月に特許出願しました。今後はピュアオゾンの利用技術研究をこれまでも共同で行ってきた産業技術総合研究所とさらなる研究から膜質改良しハイバリアフィルムを目指します。

本技術開発の背景として、フレキシブル有機ELディスプレイ分野、ＰＥ（プリンテッドエレクトロニクス）分野、フレキシブルエレクトロニクス分野等に使われる高機能フィルムの市場拡大を見込んでいます。
今後、特に大きな成長が期待されるフレキシブル有機ELディスプレイ分野では、現在、プラズマ技術を活用し100～150℃で製造されますが、本技術では常温30℃で樹脂フィルム上に成膜するため「ダメージレス」で「薄く緻密」な「傷のつきにくい」「曲がる」「バリア性に優れた」ディスプレイ用フィルムの多くの部分に将来適用の可能性があります。さらにフィルム間の密着性向上のための膜質改良や、半導体製造工程で発生する有機物を除去することにも適用できるため、製造工程自体の短縮化も期待できます。
本技術を支えているのがピュアオゾンガス発生装置である当社製品のピュアオゾンジェネレータです。
明電舎は、高品質なバリアフィルムの技術確立と各種製造装置メーカーなどとパートナーシップを組み、本技術を提供すると同時に製造工程で必要になるピュアオゾンジェネレータの拡販（目標年間30台）をしてまいります。

【フレキシブル有機ELディスプレイにおいて適用の可能性のある部分】


明電舎は、高品質なバリアフィルムの技術確立と各種製造装置メーカーなどとパートナーシップを組み、本技術を提供すると同時に製造工程で必要になるピュアオゾンジェネレータの拡販（目標年間30台）をしてまいります。

ピュアオゾンジェネレータとは

ピュアオゾンガス連続発生装置で、2000年に開発を着手し2007年から発売を開始しました。現在は主に半導体製造装置メーカー向けに出荷しており、毒性、爆発性のあるオゾンガスを安全に安定供給できる装置です。

□ピュアオゾンジェネレータ　WEBサイト

本技術の特徴

1. ※1常温（30℃）での成膜が可能。
   通常、半導体膜を生成する際、現状の技術では高温（100℃以上）エネルギーが必要だが、本技術では常温で行うため
   ・フィルムなど低温素材への成膜が可能（熱ダメージを与えない）。
   ・消費電力を低減し、膜製造コストを削減できる可能性がある。
2. ※2超薄膜から厚膜（5nm~780nm）まで幅広い成膜のコントロールが可能。特に超薄膜でも緻密性に期待ができる。
3. ※3原料ガスを変えることで、アルミ酸化膜や高誘電体膜等の最先端金属酸化膜の成膜が可能。また、原料ガス切替により多層成膜も対応が可能。
4. ※4チャンバー構造が非常にシンプル（シャワーヘッドをつけるだけ）で成膜することが可能。
5. ※5添加ガス法により強力なOHラジカルを発生させ、成膜前の改質、クリーニング適用が可能。
   
   
【TEM（透過型電子顕微鏡）測定断面写真】

ピュアオゾンを使用したOHラジカル常温成膜技術について

真空環境下にてオゾン（O3）とエチレン（C2H4）を化合するとヒドロキシルラジカル（以下、OHラジカル）が生成されます。そのOHラジカルにオルトケイ酸テトラエチル（SiC8H20O4、通称TEOSガス）を化合することで、二酸化ケイ素（SiO2）と二酸化炭素（CO2）、水（H2O）、酸素（O2）に分解されます。分解された酸素（O2）、二酸化炭素（CO2）、水（H2O）は不純物として排気され、二酸化ケイ素（SiO2）のみを上位から降らせフィルム上に堆積することで高純度のSiO2膜が生成されます。本技術で使用するピュアオゾンガスとエチレンガスを反応させる技術も既に取得済みの当社特許技術です。

本件及び取材に関するお問い合わせ先

株式会社 明電舎  広報・ＩＲ部 広報課
電話 03-6420-8100